APPLICATION OF DIELECTRIC AND CONDUCTIVE EPITAXIAL FILMS IN SILICON TECHNOLOGY
Abstrakti
In this paper the authors discuss a variety of solid-state electronic devices designed on the basis of different combinations of epitaxial layered dielectric and metal films in silicon technology that allows to create novel devices, including the devices operating on principles of quantum effects.
The paper reports Molecular Beam Epitaxy (MBE) technology for creating a new type of device. Intensive experimental research in the field of epitaxial growth of metals and dielectrics on surface of silicon and the study of their physical properties would most likely in the near future serve as a platform for the increased application of silicon devices that might displace other materials traditionally used in high frequency electronics (А3 В5, А2 В6), IR and UV - photo electronics.
Lataukset
Lähdeviitteet
Ishiwara H., Asano T., Furukawa S. // J.Vas . Sci.Nech.1983.V.I.N I., P. 266.
Asano T., Kuruyama, Ishiwara H. //Elektron Lett.1985.V.21.N 9., P.386.
“Heteroepitaxy Silicon” . Symp. Palo Alto.Calif. Apr.16-18.1986.Pittsburgh (Pa).1986.
Schowalter L.J. , Fathaver R.W.// CRC. Crit.Rev Solid ST and Vft. Sci. 1989. 15 , №4 P. 367-421.
H. Zogg et al // J. electrochem soc. 1989 V. 136. №3, P. 775-719
Особенности диффузии в эпитаксиальной пленке CoSi2, выращенной на поверхности флюорита. Semiconductor Physics and Microelectronics. 2019, Volume 1, Issue 2. С. 53-57.
Egamberdiev B.E. "Electron spectroscopic studies of physical properties of epitaxial combinations and ion-implanted layers in silicon." DSc thesis - M, 2003, PP. 243
R.T. unng et al.// Appl.Phys.Let. 1986 V. №10, P. 535-637
Egamberdiev B. E. , Mallaev A. S. Silicon silicide structures based on ion doping. "Science and technology" 2019 168s.
Y. Nakata et al // Electron Let. 1986 V 22., №1, P. 50-59
Эгамбердиев Б.Э., Алтухов А.А., Абидов Ш.М. Свойства и характер диффузии эпитаксиальной пленки, выращенной на поверхности флюорита // Письмо в ЖТФ 1993 г., т. 19., вып. №24, стр. 42-46.
Алтухов А.А. и. др. // Техника оредств связию Серю ТПО Вып 1. 1990
Эгамбердиев Б.Э., Алтухов А.А., Жирнов В.В., Соколов Н.С. “Молекулярно лучевая эпитаксия приборных гетероструктур на основе кремния” /В сб. совещания “Кремний-90” тез. доклада, г. Москва 1990 г., стр. 11-13.
Бахадырханов М.К., Эгамбердиев Б.Э., Иванов В.В. “Создание твердотелого полупроводникового детектора ионизирующих излучений методом МЛЭ” /В сб. междунар. конф. т. 4, г. Новосибирск 1992 г., стр. 141-146.
