INVESTIGATION OF SCANDIUM ALLOY ON THE STRUCTURE OF THE SILICON SURFACE LAYER
Abstract
The technology of step-by-step low-temperature diffusion of scandium into silicon is developed, allowing to create clusters of impure atoms uniformly distributed over the entire volume of material. It is shown that unlike the samples obtained by high-temperature diffusion alloying, the samples produced by the new technology do not have surface erosion, the formation of alloys and silicide’s in the near-surface area. The thermal and radiation stability of silicon samples containing clusters of impure scandium atoms has been increased.
Downloads
References
Эгамбердиев Б.Э. «Электронно-спектроскопические исследования физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно- имплантированных слоев в кремнии». Докторская диссертация – М, 2003,С 243.
Эгамбердиев Б.Э., Абдугабборов М. Изучение некоторых особенностей профилей распределения имплантированных атомов Mn, Fe и Ni в Si // Вестник ТГТУ, 1994.,Т.1-2., С.39-44.
Egamberdiev B.E., Iliev Kh.M., Nasriddinov S.S., Toshev A.R., Zoirova M.E. Photoelectric properties of silicon-based solar cells implanted with rare earth elements. // Conference . Russia, Vladivostok, 2006. РР. 204-208.
Эгамбердиев Б.Э. , Маллаев А. С. Кремниевые силицидные структуры на основе ионного легирования. // Т.:изд. «Наука и технология» 2019 г. 168с.
Эгамбердиев Б.Э., Рахманов А.Т. и др. “Исследование методом РОР профиля распределения ионно-имплантированных атомов железа в кремнии ”. // Science and world, 2018, vol.1, №1(53), с.57-60
Egamberdiev B.E., Rakhmanov A.T., Mallaev A.S., Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. // Science and world. 2018. 1(53).vol.1.p.57-60
Miquita D.R., Paniago R., Rodrigues W.N., Moreira M.V., Pfannes H.-D., Oliveira A.G. Growth of (3-FeSi2 layers on Si(lll) by solid phase and reactive deposition epitaxies. // Thin Solid Films. 2005. V. 493. P. 30 - 34.
Egamberdiev B.E., Mallaev A.S., Toshev A.R. Osobennosti eleMronnoi struktury ionno -implantirovannyh sloev Ni, Fe i Co v kremnii. [Features of the electronic structure of ion-implanted Ni, Fe, and Co layers in silicon] // Mezhdunarodnaya konferenciya. Rossiya [International Conference], 2009, Russian, Tomsk, pp. 77-80. (In Russ.)
Суздалев И.П. Нанотехнология:физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.Ком Книга, 2006. 592с.
Баграев Н.Г., Романов В.В. Магнетизм кристаллов АIIIВV, легированных редкими элементами. ФТП, 2005, Т.39, в.10, стр.1173-1182.
Абдурахманов Б.А., Эгамбердиев Б.Э., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Тошев А.Р. «Влияние микрогетеропереходов кремний - германий на параметры кремниевых солнечных элементов» // Журнал «Электронная обработка материалов», Молдавия, 2010, № 5, с. 124-126.
Gavrilov G., Krivchitch A., Lebedev V. Application of nuclear reaction. Analysis for aging investigations of detectors // Nucl. Instr.Meth. A. - 2003. - V. 515. - P. 108—117
Эгамбердиев Б.Э., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Тошев А.Р. «Радиационная стабильность кремниевых солнечных элементов легированных гольмием» // XI Международной конференции «Физика твердого тела» Усть-Каменогорск, Казахстан, 9-12 июня 2010 г.
Далиев Х.С., Дехканов М.Ш., Эруглиев У.К., Норкулов Ш.Б., Эргашев Ж.А. Емкостная спектроскопия дефектов в кремнии, легированном атомами гадолиния // Физика полупроводников и микроэлектроника. 1 (01). 2019. С. 15-17.
Л.В. Журавель, Н.В. Латухина, Е.Ю. Блытушкина Влияние легирования редкоземельными элементами на структуру поверхностного слоя кремния / // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2004. - № 3. - С. 72—74.
Н.В. Латухина, А.В. Волков, Л.В. Журавель, В.М. Лебедев Роль микродеформаций при порообразовании в кремнии, легированном редкоземельными элементами // Тр.третьей Междунар. научно-техн. конф. «Металлофизика, механика материалов, наноструктур и процессов деформирования «Металлдеформ-2009». - Самара, 2009. - Т. 1. - С. 30—34.
В. М. Лебедев, Ю. Г. Лукьянов, В. А. Смолин Аналитический комплекс для исследования материалов методами ядерного микроанализа // Тр. ХІІІ Междунар. конф. По электростатическим ускорителям. - Обнинск (Россия),2001.-С.60—66.
Латухина, Н. В. Распределение компонентов в структурах кремний - оксид кремния и кремний - оксид редкоземельного элемента / Н. В. Латухина, В. М. Лебедев // Письма в ЖТФ. - 2005.- Т. 31, вып. 13. - С. 58—64.
Александров О.В. Электрофизические свойства слоев кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода в широком диапазоне доз и термообработанных в различных температурных режимах / О.В.Александров, А.О.Захаьин, Н.А.Соболев //ФТП.-2002.-Т.36, вып.3.-С.379-382
Gavrilov, G., Krivchitch, A., Lebedev, V. Application of nuclear reaction. Analysis for aging investigations of detectors //Nucl. Instr.Meth. A. - 2003. - V.515.P.108—117.
Латухина, Н. В. Роль микродеформаций при порообразовании в кремнии, легированном редкоземельными элементами /Н. В. Латухина, А. В. Волков, Л. В. Журавель, В. М. Лебедев // Тр.третьей Междунар. научно-техн. конф. «Металлофизика, механика материалов, наноструктур и процессов деформирования «Металлдеформ-2009». - Самара, 2009. - Т. 1. - С. 30—34
Журавель Л. В. Влияние легирования редкоземельными элементами на структуру поверхностного слоя кремния /Л. В. Журавель, Н. В. Латухина, Е. Ю. Блытушкина // Изв. вузов.Материалы электрон. техники. - 2004. - № 3. - С. 72—74.
Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. – М.: Физматлит, 2004. – 432 с
